2024年2月1日 · 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工技术的制约，目前 SiC 衬底的加工损耗极高、效率极低，并且很难获得高表面质量的SiC衬底片,因此,亟需开发先进的衬底加工工艺。 SiC衬底的加工主要分为切割、研磨和抛光，下面将展开具体分析。

2024年2月29日 · SiC半导体行业三个重点环节（衬底、外延和器件）中，衬底是SiC产业链的核心，在产业链中价值量占比最高，接近50%。 衬底行业的发展也是未来SiC产业降本、大规模产业化的主要驱动力。

2023年12月13日 · SiC（碳化硅）衬底按照电阻率类型主要可以分为两类： 导电型衬底：电阻率通常在15~30mΩ·cm范围内，这类衬底具有较好的导电性，适用于制造功率半导体器件。

2024年1月31日 · 根据电阻率不同,4H-SiC衬底可分为导电型和半绝缘型。半绝缘型SiC衬底电阻率大于10Q-cm,主要应用于制作GaN微波射频器件, 导电型SiC衬底电阻率小于30mQ.cm,主要用于制造MOSFET和IGBT等功率半导体器件。

碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。 切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。 在碳化硅器件成本中，衬底占比47%左右，是价值量最高的原材料。

2023年11月29日 · 国内主要SiC碳化硅衬底企业汇总1、山东天岳先进科技股份有限公司（688234）公司成立于 2010 年，主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、

2025年1月2日 · 数据显示，衬底是 SiC 功率器件制造过程中成本占比最高的环节，占比达 47%，而在传统的硅基半导体器件中，硅片衬底的占比通常不超过 10%，造成 SiC 衬底和 Si 衬底价值占比显著差异的主要原因在于 SiC 单晶材料制备的复杂性更高； SiC 器件价值量占比第二大的 ...

2024年5月19日 · 在单晶生长工艺中获得SiC晶碇之后，接下来进行的是SiC衬底的精细制备过程。 这一过程包括以下几个关键步骤： 1. 磨平：首先对SiC晶碇进行磨平处理，以消除表面的不平整和生长过程中可能产生的缺陷。 2.

SiC单晶是一种硬而脆的材料，切片加工难度大，磨削精度要求高，因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过程。 本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。

2023年7月7日 · 碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比-碳化硅的禁带宽度是硅的2-3倍，在高温下电子不易发生跃迁，可耐受更高的工作温度，且碳化硅的热导率是硅的4-5倍，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。