半导体碳化硅(SiC)是一种 Si元素 和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。

碳化硅 （SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一，近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升，其应用领域不断扩大。 目前SiC芯片的制备仍然以6英寸（1英寸=25.4 mm） 晶圆 为主，但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸 SiC晶圆 的下一代器件 ...

碳化矽（英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化矽在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。

那么SiC衬底有哪些优秀的品质？如何被制造出来的？有哪方面的应用呢？ SiC晶圆 的晶型. 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、 6H-SiC 等，每种多晶形都有自己独特的性质。

2023年12月31日 · 3C-SiC(β-SiC)因其结构和GaN相似，可以用来生长GaN外延层，制造SiC-GaN射频器件；4H-SiC(α-SiC)可以制造大功率器件；6H-SiC(α-SiC)最稳定，可以制造光电器件。 SiC具有优越的物理新能：高禁带宽度、高电导率、高热导率、低通损耗等，特别适合于电力电子领域的高功率 ...

2022年7月28日 · 在SiC晶圆制造中，原料的晶相及纯度关系着成长后晶圆的质量及缺陷密度的多寡，晶相分析、纯度检测分析和微观的结构分析是不可或缺的关键步骤。 SiC属于多型体(polytype)的材料，目前已知晶体结构多达100种以上，而不同晶体拥有不同的性质。

2019年6月13日 · 碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合 ...

早期无线电中的碳化硅（例如发光二极管（LED）和探测器）的电子应用首先在1907年左右展示.SiC用于在高温或高电压或两者下工作的半导体电子器件中。可以通过Lely方法生长大的碳化硅单晶，并且可以将它们切割成称为合成莫桑石的宝石。

2024年3月12日 · 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。

2024年1月26日 · 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层，叫做A层。