专业GaN公司宜普电源转换公司（EPC）宣布发行其第四版教科书——《用于高效电源转换的GaN功率器件》。 最新版教科书反映了GaN技术的快速发展，以及GaN技术对可再生能源、电动汽车、数据中心、机器人、太空应用等众多行业的影响。

2025年2月26日，在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》，希望利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。

GaN互补逻辑性能的一个关键瓶颈是p-沟道FET与成熟n-FET的互补。GaN p-FET的最大漏极电流通常小于10mA/mm。这与镁（Mg）作为电子受体产生正空穴电荷载流子的性能较差有关。

氮化镓 (GaN)技术相比传统硅基MOSFET有许多优势。GaN是宽带隙半导体，可以让功率开关在高温下工作并实现高功率密度。这种材料的击穿电压较高，可适用于100 V以上的应用。而对于100 ...

盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN ...

然而，传统的反向映射尝试，即将嵌入向量转换回图像时，往往会遇到问题。以往的方法通常会产生退化的结果，生成的图像在数学上与目标嵌入向量匹配度很高，但在人类观察者眼中却像是毫无意义的噪声。

文章大纲宽禁带半导体概述 ·宽禁带半导体特征 ...

朱廷刚：总体来看，GaN功率半导体市场还是呈增长趋势的，但如大家所见，这几年大环境消费端需求疲软，造成需求的增速放缓。这个现象不止影响到Power GaN，对整个功率半导体市场的影响也是一样的。

贝尔金公司近期发布了一系列创新产品，其中包括升级版的移动电源、头戴式耳机以及备受瞩目的11合1 Pro GaN扩展坞，这一消息引起了广泛关注。 这款新推出的11合1 Pro ...

低成本加速度计凭借体积小、易集成、可穿戴及量产化优势，在工业自动化、医疗监测和消费电子等领域广泛应用，但其精度受限、噪声显著且量程范围狭窄的问题严重制约了高动态场景下的应用。

今年1月，苏州华太电子技术股份有限公司成功申请了一项名为"一种GaN HEMT器件"的专利，这标志着其在GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT ...

IT之家 2 月 25 日消息，小米首款 AI 专业办公笔记本 REDMI Book Pro 16 2025 已于昨日正式亮相，新品首批搭载第二代酷睿 Ultra 处理器、配备 LPDDR5X 8400MT/s 内存。