1987年，美国半导体企业正被日本进攻的节节败退。英特尔开始“举白旗”，直接宣布退出DRAM业务。 就在这时，英特尔内部完成了权利交接，安迪·葛洛夫接任英特尔CEO。在安迪·葛洛夫的带领下，公司市值从43亿美元激增至1976亿美元，涨幅高达45倍。

英飞凌近日在德国宣布了一项重要进展，该公司计划在本季度向客户交付首批采用先进200毫米（即8英寸）晶圆SiC碳化硅技术的创新产品。这批产品由英飞凌位于奥地利菲拉赫的先进工厂精心制造，专为绿色能源、铁路系统以及电动汽车等高压应用场景设计，旨在提供卓越的 ...

全球半导体巨头英飞凌近期宣布，在碳化硅（SiC）技术领域取得了重要突破，成功推出了首批采用8英寸晶圆工艺制造的SiC产品。这些产品将在奥地利的菲拉赫工厂生产，专为可再生能源、火车及电动汽车等高压应用提供先进的SiC功率技术。

第二个词是信心。一方面全球SiC市场规模持续增长，上车速度加快，光储充等其他领域的发展也取得了长足的进步。另一方面中国企业出货量占比全球份额上显著增长，在我国相对薄弱的芯片制造环节，去年全球前十已有三家中国企业。

全球半导体巨头英飞凌最近在碳化硅（SiC）技术领域取得了令人瞩目的进展，正式推出了其首批基于8英寸晶圆工艺制造的SiC产品。这一创新将在奥地利菲拉赫工厂生产，旨在为可再生能源、火车及电动汽车等高压应用提供更为先进的SiC功率技术。这一成就不仅代表了英飞凌在SiC技术商业化应用上关键性的迈进，更为相关领域的能源效率和性能提升打开了新的契机。

根据AI大模型测算燕东微后市走势。短期趋势看，连续2日被主力资金减仓。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期该股获筹码青睐，且集中度渐增。舆情分析来看，目前市场情绪极度悲观。

全球汽车市场需求疲软、地缘政治风险加剧，以及中国本土SiC产业链的崛起，使得国际SiC巨头们面临着前所未有的挑战。向8英寸晶圆转型是他们保持竞争力的关键。面对中国SiC企业在6英寸晶圆上取得的进展和价格优势，欧美厂商必须在技术上持续领先，才能在激烈的 ...

晶圆再生及薄化晶圆厂升阳半导体(8028)2025年1月营收连4月登峰，首季营运可望淡季不淡，股价昨（13）日放量攻顶，今（14）日开高后再度爆量劲扬7.49％至143.5元，创1个月来高价，邻近午盘维持近5％涨势，表现强于大 ...

据了解，泰瑞达从英飞凌科技收购的自动测试设备技术及相关开发团队，总共80人，将帮助泰瑞达加速功率半导体测试系统的开发，这个领域在当下变得越来越重要，宽禁带半导体器件如氮化镓（GaN）比硅具有更高的频率，而碳化硅（SiC）具有更高的电压和电流能力，从而改变了测试系统的要求。

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN ...

广东天域半导体股份有限公司向港交所递交招股书，拟主板上市。天域半导体是国内首批第三代半导体公司之一，主营碳化硅外延片。其股东包括比亚迪等知名企业，同时拥有地方国资背景的投资者。值得注意的是，IPO前夕，招商江海和招华招证两家股东转让了所持股份。另外，天域半导体的业绩较依赖前五大客户。

Trio-Tech首席执行官S.W. Yong承认半导体市场疲软影响了季度业绩，但强调了公司在SiC和GaN功率模块动态测试系统出货方面取得的进展。这些材料在注重效率和热管理的行业中越来越受欢迎，如电动汽车和先进计算领域。Yong对SiC和GaN的强劲全球需求以及公司与潜在新客户的接触表示乐观。