上月传来喜讯，长江存储推出了第五代3D TLC ...

2025年02月25日 07:24中关村在线 ...

韩国媒体之所以得出如此悲观的判断，既是三星芯片代工被台积电长期压制所致；更是由于曾以存储芯片垄断全球70%市场的韩国，如今却深陷技术路径依赖与生态断层的泥潭。一场横跨NAND、DRAM与HBM三大领域的产业地震已悄然爆发。

据韩媒报道，2月24日消息，三星已与长江存储（YMTC）达成专利许可协议，涉及3D NAND闪存中的混合键合技术。根据协议，三星将从第10代V-NAND（V10）开始，采用长江存储的专利技术，以解决高堆叠层数下的可靠性问题，并加速下一代产品的量产进程 ...

从韩媒报道来看，三星此次获取长江存储专利授权，将主要用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数将达到420层-430层。为了让V10芯片尽快量产，三星引入了多项新技术，晶圆和晶圆之间的混合键合“至关重要”。

消息表明三星有望从其第10代NAND开始采用长江存储的专利混合键合技术。 此前消息表明，长江存储已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层，使用了Xtacking ...

近日，台湾媒体《电子时报》透露，采用QLC NAND技术的UFS闪存即将在OPPO和传音的新品中首次亮相。这一技术以其更高的存储密度和更低的成本优势，备受行业关注。然而，QLC NAND在擦写耐久性和性能方面仍逊于当前主流的TLC颗粒。 QLC ...

根据市场研究机构的报告，三星计划从第10代V-NAND闪存开始引入长江存储的混合键合技术专利。预计三星将在2025年下半年启动该产品的量产工作，届时其总层数将达到420至430层。与此同时，还有消息称，SK海力士也在与长江存储就专利协议进行协商。

据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NA ...

大概在四年前，长江存储率先将名为“晶栈（Xtacking）架构”的混合键合技术应用于3D NAND闪存，随后逐步建立了强大的专利组合。三星在之前的NAND闪存里采用了COP（Cell-on-Periphery）结构，将外围电路放在一块 晶圆 ...

WD_BLACK SN850X ...

在全球 NAND 闪存市场的角逐中，长江存储（YMTC）最近传来振奋人心的消息：他们的第五代 3D TLC NAND 闪存已经开始出货，层数惊人地达到了 294 层，同时拥有 232 个有源层！这不仅让长江存储在技术密度上追平行业水平，更在垂直栅密度方面实现了历史新高，充分展现出其作为全球竞争者的雄心。 更让人兴奋的是，根据 TrendForce 的报道，三星在其即将推出的第十代 V-NAND 闪 ...