据TrendForce报道，三星正在与苹果开发低功耗低功耗宽I/O（LPW）DRAM，预计2028年开始量产。除了苹果外，三星在LPW DRAM项目上还有多个合作伙伴，也包括自己的移动体验（MX）部门。传闻LPW DRAM的I/O速度达到204.8 ...

今年2月下旬日，DRAM大厂美光科技（Micron Technology）宣布，它已经成为业内售家向合作伙伴提供基于极紫外光（EUV）光刻技术的1γ （1-gamma）制程的第六代 （10nm 级） DRAM 节点的 DDR5 内存样品 ...

你的投资组合是否也受到了今天DRAM内存板块暴跌的影响？3月13日，DRAM内存板块较上一交易日下跌3.28%，朗科科技领跌，主力资金净流出高达34.8亿元。这一消息引发了市场的广泛关注。那么，这次DRAM内存板块的下跌背后究竟隐藏着哪些原因？资金流向又传递了哪些重要信号？让我们一起深入分析。

众所周知，2024年末，国家推出了补贴政策，针对大小家电、电脑等众多的产品，推出了15%-20%的补贴。 而在这样的刺激之下，众多的消费者大量购买了产品，促进消费，按照奥维云网（AVC）的数据，2024年，中国家电全品类（不含3C）零售额9071亿元 ...

美光公司上个月推出了第六代DRAM的原型，成为存储器半导体行业中第一个推出第六代DRAM的厂商，而美光公司的DRAM设计和制造工艺与三星电子和SK海力士有着明显的区别，这有望成为三家公司在即将到来的量产竞争中胜负的关键因素。

在全球半导体市场波动的背景下，甬矽电子（YOUNGSILIC）近日推出了其最新款DRAM芯片，成为行业关注的焦点。这款新型芯片不仅在存储容量上实现了高提升，更在性能和能效方面突破了以往的限制。根据最新市场报告，随着DRAM现货价格上涨，市场对高性能存储解决方案的需求日益增加，甬矽电子的新款DRAM芯片正好迎合了这一趋势，成为了技术爱好者和行业专业人士不容错过的产品。

新闻1：三星和SK海力士也准备提高NAND闪存价格，预计下个月开始执行近日有报道称，闪迪（Sandisk）将从4月1日起提高NAND闪存的价格，覆盖企业端和客户端的产品，整体涨幅超过了10%。闪迪预计市场很快将转向供不应求的局面，同时这一变动与关税的 ...

与美光不同，三星和 SK 海力士在 DRAM 技术发展中更依赖 EUV 层。三星自 2020 年起在内存生产中采用 EUV，计划在其第 6 代 10 纳米 DRAM（1c）中应用超过 5 个 EUV 层。SK 海力士也在 2021 年引入 EUV ...

IT之家 3 月 14 日消息，广颖电通 Silicon Power 昨日宣布推出 Endura 系列固态硬盘。广颖承诺四款首发产品 —— ES75、ED90、E60、E55 —— 均搭载企业级 3D TLC（eTLC）NAND 闪存，不过这些款式的 标定 TBW 仍与常规消费级产品相当 。

在内存技术的最新进展中，美光公司（Micron）已经成功地为英特尔（Intel）和AMD等客户提供了1γ（gamma）DDR5的样品，这一成就标志着美光在行业内率先实现了技术突破。

周五，TD Cowen分析师维持对ASML Holding NV（ASML:NA）（NASDAQ: ...

3月13日消息，受益于去年存储芯片市场需求回暖以及价格上涨，韩国三星电子和SK海力士这两家存储芯片大厂在去年都获利颇丰。特别是在中国市场，受国内的消费补贴刺激政策的推动，三星电子和SK海力士在中国的销售额也实现了大幅增长。