复旦大学周鹏/刘春森团队构建了准二维高斯模型，成功从理论上预测了超注入现象，并据此研制“破晓 (PoX)”皮秒闪存器件，其性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术；通过AI算法对工艺测试条件实现科学优化，极大推动技术创新与落地。

复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院的团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限。他们成功研制出名为“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作。该成果以《亚纳秒超注入闪存》为题发表在自然期刊上。这一新技术有望彻底颠覆当前的存储器架构，使得未来电脑无需区分内外存储。

“在一眨眼的时间内，超级闪存已经工作了10亿次，原来的U盘只能1000次。相当于光在走了12厘米的时间内，几千个电子已经储存完毕。”近日，复旦大学周鹏/刘春森团队成功研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。昨天，相关研究成果以《亚纳秒超注入闪存》为题发表于国际顶尖期刊《自然》上。

在智能设备不断进化的今天，存储速度的提升成为推动技术进步的重要因素。近日，复旦大学的研究团队在《自然》期刊上发布了突破性的研究成果，推出了一款名为“破晓（PoX）”的亚纳秒级闪存器件。这项技术通过构建准二维泊松模型，成功预测并实现在擦写速度上达到亚1纳秒（400皮秒），让存储速度的极限被再次打破，成为全球最快的半导体电荷存储技术。这一发展不仅为智能设备领域带来了技术突破，更对未来的市场竞争格局产生 ...

近日，复旦大学周鹏刘春森团队成功研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。

4月17日，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院的周鹏-刘春森团队在集成电路领域取得关键突破，成功研制出“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，其擦写速度可提升至亚 1 纳秒（400 皮秒），相当于每秒可执行 25 ...

上海科学家团队在存储技术领域取得重大突破。4月16日，国际顶级期刊《自然》发表了复旦大学周鹏-刘春森团队的最新研究成果——"破晓（PoX）"皮秒闪存器件，其擦写速度达到惊人的400皮秒，相当于每秒25亿次操作，创造了半导体电荷存储技术的新世界纪录。

【4 月 17 日电，周鹏-刘春森团队研制“破晓”皮秒闪存器件】集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队构建准二维泊松模型，在理论上预测超注入现象，打破现有存储速度理论极限。其研制的“破晓（PoX）”皮秒闪存器件擦写速度可提升至亚 1 ...

【上海科研团队研制出超高速闪存 ...

复旦大学在集成电路领域取得了又一重大进展，这一消息引起了业界的广泛关注。据悉，该校的研究团队在二维半导体芯片研究取得成果后，仅隔两周，便再次宣布了关键性的技术突破。

本报讯（见习记者张菲垭）人工智能时代，存储速度的最新极限在哪里？北京时间4月16日晚，复旦大学周鹏、刘春森团队在《自然》发表最新成果。团队花费10年时间研制的“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件，这将重新定义现有存储技术的边界。

据介绍，复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象， 打破了现有存储速度的理论极限，研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。