半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。 EVG的GEMINI FB XT集成熔合系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统 ...

思锐智能提供了原位等离子体处理、原位生长高质量的PEALD膜层、热法ALD的一套三步解决方案，可改善GaN器件的动态性能，降低器件的回滞，已通过 ...