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证券之星 on MSN格力电器获得发明专利授权:“MOS器件及其制备方法”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示格力电器(000651)新获得一项发明专利授权,专利名为“MOS器件及其制备方法”,专利申请号为CN202411565557.X,授权日为2025年3月4日。
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来自MSN宏达电子新注册《光MOS继电器系统V1.0》等3个项目的软件著作权证券之星消息,近日宏达电子(300726)新注册了3个项目的软件著作权,包括《光MOS继电器系统V1.0》、《电流频率转换电路组件系统V1.0》、《高精度加速度计测试系统V1.0》等。今年以来宏达电子新注册软件著作权3个。结合公司2024年中报财务数 ...
MOS管 能够在极短的时间内切换大量电流,输入也具有相对较高的阻抗,这会导致稳定性问题。在某些条件下,由于周围电路中的杂散电感和电容,高压MOS管会以非常高的频率振荡。(频率通常在低 ...
该并联式MOS管驱动电路的设计采用了先进的数字隔离单元、负压偏置驱动单元以及多个MOS管驱动单元,构成了一个高效且功能强大的驱动电路。其中,中心部件是型号为IVCR1401的碳化硅MOS管驱动芯片,它为每个MOS管驱动单元提供必要的驱动信号。此设计不 ...
上世纪60年代,以氟尿嘧啶(5-FU)为核心的化疗方案开启了胃癌药物治疗的先河,但晚期患者mOS仅约5.5个月。即便后续引入铂类药物,mOS仍难以突破12个月,化疗的局限性促使医学界寻求更优的胃癌药物。
2025年2月15日,江西萨瑞半导体技术有限公司在国家知识产权局正式公布了其最新专利——“一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法”,该专利的授权公告号为CN118888598B,申请日期为2024年9月。这一消息不仅反映出江西萨瑞在半导体领域的技术创新能力,也为国内电子设备制造业的进一步发展带来了新的机遇。
2025年2月12日,英飞凌科技奥地利有限公司宣布其拥有全新专利的半导体器件——具有集成MOS选通的二极管或肖特基二极管。这项专利的授权公告号为 ...
公司中低压、高压MOS、SiC产品可应用于AI服务器电源中,已处于上量阶段。除了AI领域,目前公司也在积极开拓超计算、工业机器人等新兴领域 ...
很实用!用MOS管制作一个理想中的二极管 ...
出品:新浪财经上市公司研究院 作者:IPO再融资组/郑权12月5日,浙江蓝宇数码科技股份有限公司(下称“蓝宇股份”)发布了创业板发行公告,将于近期上市。申报前夕,蓝宇股份的业绩连续暴增,满足创业板上市指标。同时,公司的毛利率也大幅增长,显 ...
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