而王国辉突然表态看好中芯国际，认为中国国内市场庞大且具备一定的“隔离效应”，中芯国际缺的是一台国产EUV光刻机，一旦有公司成功研发出EUV ...

EUV光刻机的波长为13.5nm，而100KeV电子束的波长只有0.004nm，波长短使其在分辨率方面与EUV相比有绝对的优势，也使得电子束能够实现EUV光刻都实现不了 ...

9月，佳能交付了一种技术的首个商业版本，该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻技术（NIL，nanoimprint lithography），它能够绘制出小至14纳米的电路特征——使逻辑芯片达到与英特尔、超微半导体（AMD）和英伟达现正 ...

最后，对于中芯国际面临的技术瓶颈，王国辉承认，中国目前确实无法获得 ASML 的 EUV 光刻机，而这些设备是在尖端节点上生产芯片所需的。然而 ...

[导读]1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器，这将为下一代EUV光刻技术发展奠定基础。 1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器 ...

而光刻机，作为芯片制造中的核心设备，更是被誉为“芯片制造皇冠上的明珠”。其中，EUV（极紫外光）光刻机更是以其高精度、高效率的特点，成为制造先进制程芯片的关键设备。然而，EUV光刻机的制造难度极大，长期以来一直是全球科技界的一大挑战。

中国高端制造再传捷报！据哈尔滨工业大学消息，该校航天学院赵永蓬教授团队研发的放电等离子体极紫外（EUV）光刻光源，凭借颠覆性技术成果，荣获2024黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。这一技术的突破，不仅绕过了ASML的技术壁垒 ...

NIL 系统提供的优势可能会挑战价值 1.5 亿美元的机器，这些机器在当今先进的芯片制造中占据主导地位，即极紫外 （EUV） 光刻扫描仪。如果佳能是 ...

制造尖端芯片不可或缺的EUV（极紫外）光刻设备即将登陆日本。日本Rapidus（位于东京千代田区）将于2024年内在千岁工厂(北海道千岁市)引进，这将是日本国内首次引进。将由世界上唯一制造EUV光刻设备的荷兰阿斯麦(ASML)提供。 以Rapidus为开端，日本的 ...