之后有一段走线连接至MOSFET栅极。这段走线的寄生电感L_gate与MOSFET的栅极电容Ciss串联，形成一个LC回路。由于驱动器输出阻抗低，这段走线的高阻抗特性Z=jωL_gate容易导致振铃，尤其在高频开关时。 RGATE紧邻MOSFET栅极，驱动器通过走线直接连接到RGATE。此时 ...

在近日的GTC大会上，英伟达首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）在问答环节中谈到了全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）技术的潜力，他预计这项技术将为公司的下一代处理器带来约20%的性能提升。尽管这个数据看似保守，黄仁勋指出，真正的性能飞跃依赖于英伟达自家的架构创新和软件进步，而不仅仅是制程技术的更新。 当前，随着摩尔定律的放缓，技术的改进正在逐渐减缓。黄仁勋特别强调，未来 ...

在近期的全球技术大会（GTC）上，英伟达首席执行官黄仁勋宣布了一项潜在的重大技术突破，强调 全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）技术 可能为公司未来的处理器带来高达 20%的性能提升 ...

据现场参会的分析师 Jarred Walton 观察，黄仁勋似乎在刻意淡化制程节点更迭的重要性。他强调，随着摩尔定律的放缓，未来全新的制程技术在密度、功耗或能效方面可能仅带来 20% 左右的改进。需要指出的是，黄仁勋此番言论是在回应分析师关于英伟达是否可能采用三星代工（Samsung Foundry）的提问时作出的，并非是对未来选用何种节点的明确表态。

离子门控技术：使用由 DEME-TFSI、PS-PMMA-PS 聚合物和乙基丙酸酯按特定比例混合制成的离子凝胶，在室温下施加栅极电压，在谐波霍尔测量时将温度降至 200K 以稳定离子结构。 谐波霍尔测量：在 200K 的低温恒温器中，施加幅值为 2 - 5mA、频率为 113.3Hz 的交流电流 ...

IT之家 5 月 7 日消息，三星电子宣布其首款采用 3nm GAA 工艺（Gate-All-Around，环绕式栅极）的系统级芯片 (SoC) 已完成流片 (taping out)，该芯片有望在未来 ...