腾讯网27 天
芯报丨中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。该复合衬底表现出与高质量衬底相当的缺陷密度,界面热阻低至2.8 +1.4/-0.7 m²K/GW ...
腾讯网1 个月
国产SiC MOSFET，正在崛起
而在此前，有车企因是否全域采用SiC MOSFET，发生激烈舆论战。可见，SiC这一市场在汽车领域颇有潜力。 不过，近几年国内SiC MOSFET发展飞速 ...