以聚晶碳化硅或硅/碳粉末混合物为原料，在真空或惰性气体气氛中将其加热至高温直至升华，从而形成晶锭。引入晶种，蒸气冷却，使 SiC 分子沉积在晶种上，形成更大的晶体结构。超过 200 种可能的 SiC 晶体构型或多型具有六方（H 型）或立方（C 型）结构。形成晶体的温度和压力以及存在的任何杂质决定了哪种多型将占主导地位。

英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力，具体如下图： ...