2025年1月29日，上海华力集成电路制造有限公司（以下简称“上海华力”）取得了一项重要专利，名为“鳍结构表面氧化层均匀化的方法”，这项技术将为半导体行业，特别是在氮化镓和硅基材的处理过程中，提供更为先进的技术支持。该专利的授权公告号为CN114121673B，申请日期为2021年11月。

2025年1月16日，深圳尚阳通科技股份有限公司正式申请了一项名为“SiC ...

为了解决这个问题，华人科学家胡正明在1999年提出了“鳍式场效应晶体管”架构，也就是FinFET。在这个结构中，栅门被设计成了类似鱼鳍状的3D结构 ...