随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展，市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高，各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发，越来越多有关第十代NAND闪存技术的消息扑面而来，第十代NAND闪存的技术之争正在拉开帷幕。铠侠与闪迪携手 ...

展望未来，随着HBF的出现，NAND厂商的春天似乎已经不再遥远，但面对依旧激烈的市场竞争，厂商可能会围绕技术话语权展开新一轮的争斗，届时我们也不妨拭目以待，谁能在NAND市场笑到最后。

在当前全球NAND闪存市场，价格正在悄然回升，最近的消息称，闪迪计划自4月1日起调高NAND闪存价格，幅度超过10%。紧接着，三星和SK海力士也透露将于下月开始价格上调，预计涨幅同样不小。国内市场领头羊长江存储（YMTC）亦可能会相随而动，迎来同样的价格调整。更有传言称，致态（ZHITAI）预计在4月也将提高其渠道采购价格，涨幅或超过了10%。

3D NAND为何需要“混合键合”技术？ 过去传统的NAND Flash制造是只使用一块晶圆，NAND 阵列和CMOS电路的集成要么是将CMOS电路放置在单元阵列旁边（CMOS Next Array 或 CAN），要么将CMOS电路放置在 NAND 阵列 (CUA) 下方。 大多数 NAND Flash供应商在其最初的 3D NAND 工艺中实施 ...

过去传统的NAND Flash制造是只使用一块晶圆，NAND 阵列和CMOS电路的集成要么是将CMOS电路放置在单元阵列旁边（CMOS Next Array 或 CAN），要么将CMOS电路 ...

本文引用地址： 三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer ...

过去传统的NAND Flash制造是只使用一块晶圆，NAND 阵列和CMOS电路的集成要么是将CMOS电路放置在单元阵列旁边（CMOS Next Array 或 CAN），要么将CMOS电路 ...

两家公司在2025年国际固态电路会议上展示了这项3D闪存创新技术，它与公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术 1 相结合，采用最新的NAND闪存接口标准Toggle DDR6.0以及SCA（独立命令地址）协议 2 （一种全新的接口命令地址输入 ...

TEL在W2W键合机市场份额超过20%，仅次于EVG，有望从这一市场增长中获益。TEL的键合机收入已同比翻番，随着NAND键合市场预计从2025年的¥1000亿增长至2030年的¥3000亿，TEL的收入有望进一步提升。该公司改进的产品供应和客户关系 ...

上推出的这项新3D闪存创新结合了两家公司革命性的CBA（CMOS直接键合至阵列）技术 1 ，采用了最新的接口标准之一——适用于NAND闪存的Toggle DDR6.0 ...

全球第二大 NAND 闪存企业铠侠也在研究类似的“多栈 CBA (CMOS directly Bonded to Array)”，其目标是到 2027 年开发出 1000 层 3D NAND。 长江存储则将该技术 ...

Kioxia 和 SanDisk 的 BiCS 9 代产品将在其 CMOS 逻辑层中使用新的 NAND 接口技术，配合现有的 218 层 NAND 单元封装，以实现更高性能和更低功耗。他们还 ...