【环球网科技综合报道】2025年2月25日，据路透社消息，英特尔在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上宣布，阿斯麦的首批两台尖端高数值孔径（NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，并且早期数据显示这些机器的性能比早期型号更为可靠。英特尔高级首席工程师史蒂夫 ...

据路透社报道，半导体大厂 英特尔 近日表示，半导体设备大厂阿斯麦的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。

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快科技2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV极紫外光刻机，支持High-NA也就是高孔径，Intel去年抢先拿下了第一台，目前已经在俄勒冈州Fab D1晶圆厂安装部署了两台， ...

吸波性能测试结果表明，HEB的晶格畸变与其有效吸波带宽呈正相关，其中9HEB样品的晶格畸变最大，可以在1.5mm的厚度下实现7.2GHz的吸波带宽，优于先前报道的单相吸波材料（图2）。