在当今半导体行业快速发展的背景下，各种新技术层出不穷，企业为了在激烈的市场竞争中立足，纷纷加大研发力度。近日，有研国晶辉新材料有限公司（简称有研国晶辉）申请的新专利引起了广泛关注。这项名为‘一种硅单晶的退火方法及其制备的单晶硅晶圆和应用’的专利，将为硅单晶材料的退火处理提供创新解决方案，预计将显著提升半导体器件的性能。 激光退火技术：前景与挑战 在半导体制造过程中，硅单晶材料作为主要基底，其品质直 ...

在汽车制造行业日益竞争激烈的今天，提升生产效率已成为各大企业所追求的目标。2025年3月24日，金融界发布消息，钱潮智造（石首）有限公司成功申请了一项名为“一种滚针退火工艺”的专利，公开号为CN119662964A，申请时间为2024年12月。这项新工艺的出现，不仅仅是技术上的创新，更为整个汽车产业链带来了新的思考与前景。

“对于量子计算来说，这是非凡的一天，我们在有用问题上展示的量子计算优越性是行业首创。”D-Wave的首席执行官，Alan Baratz博士何出此言？3月12日，以D-Wave团队为第一单位的论文《Beyond-classical ...

正火，回火，退火，淬火的区别在于工艺不同、材料组织变化不同、材料性能改变结果不同。退火就是将金属缓慢加热到一定温度保温一段时间，然后缓慢的冷却到室温；正火就是将金属加热到临界温度以上，30-50℃保温适当时间后在空气中冷却的热处理工艺。

不同维度的大型可编程拓扑结构。 Advantage2 退火量子计算机。 3月12日，加拿大量子公司、号称“全球首家量子计算机商业供应商”的D-Wave公司和合作 ...

研究人员利用多种微观结构表征技术，深入探究了性能提升的内在机制。高强度得益于深冷轧制过程中的应变硬化，晶粒细化和位错壁形成也起到明显的强化作用。而高延展性则归因于拉伸过程中退火孪晶和微剪切带的出现，它们提高了材料的应变硬化能力。随着深冷轧制压下率提高，孪晶宽度逐渐减小，低温短时退火形成的位错壁和亚晶界促进了微剪切带的形成，进一步增强了材料的延展性。

在科技飞速发展的当下，量子计算成为了科学界的热门话题。长久以来，量子计算理论就预示着在某些特定任务上，它将比经典算法拥有巨大的速度优势。近年来，各类量子处理单元（QPUs）不断涌现，如光子、中性原子、超导体系等，它们在计算速度上超越了复杂的经典方法。然而，要真正证明量子计算的优越性，尤其是在解决有实际意义的问题上，仍然面临诸多挑战。

IC前道激光退火设备是用于集成电路制造中的一种关键设备。它通过使用激光束对半导体晶片表面进行局部加热和快速冷却，以改善材料的晶体结构 ...

金融界2025年3月17日消息，国家知识产权局信息显示，岚图汽车科技有限公司申请一项名为“一种铁芯总成退火方法及工装”的专利，公开号CN 119614813 A，申请日期为2024年11月。