2025年1月31日消息，国家知识产权局近日披露，新存科技（武汉）有限责任公司于2024年9月申请了一项名为“相变存储器及其形成方法”的专利，公开号为CN119383984A。这一技术的创新不仅预示着存储器性能的提高，还将为整个电子产业的发展注入新的活力。 一、相变存储器技术的前景 随着信息技术的迅速发展，对存储器的性能要求日益提高，传统存储器在速度和容量上的局限性愈发明显。相变存储器（Phase ...

2025年1月11日，金融界最新消息，国家知识产权局公布的数据显示，意法半导体股份有限公司（STMicroelectronics）正式获得了一项名为“非易失性存储器装置、特别是相变存储器和读取方法”的专利，该专利授权公告号为CN110444241B，申请日为2019年4月。这一专利的获得不仅是意法半导体在存储器领域的又一重大创新突破，也对未来存储技术的发展趋势起到了积极的推动作用。 相变存储器（P ...

下地幔深部是否含水的关键在于表征含水相的物理化学性质，而富铝含水硅酸盐矿物phase H具有极高的热稳定性，是全地幔超深水循环的主要载体之一，本研究聚焦富铝phase ...