今日，全球领先半导体制造设备供应商TOKYO ELECTRON（以下简称TEL），宣布自2025年3月1日起，现任TEL中国区地区总部——东电电子（上海）有限公司高级执行副总经理赤池昌二正式升任为集团副总裁，同时兼任东电电子（上海）有限公司总裁和东电光电半导体设备（昆山）有限公司总裁，全面管理和领导集团在中国的整体业务发展，制定并推进公司战略，继续带领TEL中国在复杂多变的市场环境中实现稳步增长。

伯恩斯坦分析师对东京电子的市场份额增长表示信心，指出公司的收入增长目标超过了行业对刻蚀市场的预期，其中先进逻辑预期增长2.7倍，DRAM预期增长2.3倍。这一乐观预期得到InvestingPro数据的支持，数据显示2025财年收入预计增长32%，毛利率高达47%。伯恩斯坦重申对东京电子的积极立场，认为公司在刻蚀和沉积领域的强劲表现将受益于向更复杂的晶体管结构和3D配置转变。

该成果以“原子核巨共振的角动量分辨非弹性电子散射（Angular Momentum Resolved Inelastic Electron Scattering for Nuclear Giant Resonances）”为题，于2025年2月4日在线发表于《物理评论快报》（Physical Review Letters）期刊 图 平面波电子和涡旋电子激发原子核巨共振示意图 在国家 ...

华南理工大学林容周教授，新加坡国立大学John S. Ho教授和美国莱斯大学Yong Lin Kong教授团队合作，在《Nature Electronics)》上发布了一篇题为“Soft electronics based on particle ...

GaN互补逻辑性能的一个关键瓶颈是p-沟道FET与成熟n-FET的互补。GaN p-FET的最大漏极电流通常小于10mA/mm。这与镁（Mg）作为电子受体产生正空穴电荷载流子的性能较差有关。

"宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技信息。 香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, ...

在材料科学、生命科学等前沿科研领域， 透射电镜 作为不可或缺的研究工具，其核心部件技术的发展一直备受瞩目。近年来，透射电镜核心部件诸如相机、能量过滤装置以及4D-STEM探测技术等取得了长足的进展。

[导读]2月26日消息，据国外媒体报道称，美国最近与日本和荷兰会面，讨论限制两国半导体设备制造商东京电子(TOKYO ELECTRON)和阿斯麦(ASML)工程师对在华半导体设备提供维护服务，以扩大对中国获取先进技术的限制。 2月26日消息，据国外媒体报道称，美国最近与日本和荷兰会面，讨论限制两国半导体设备制造商东京电子(TOKYO ELECTRON)和阿斯麦(ASML)工程师对在华半导体设备提供 ...

近日，Nature Communications杂志刊发了上海交通大学化学化工学院李新昊教授课题组的科研成果“缺电子Ru利用钾离子排斥效应实现安培级硝酸根还原” (Ampere-level reduction of pure nitrate by electron-deficient Ru with K+?ions repelling ...

电子束曝光系统（Electron Beam Lithography, EBL）作为一种高精度、高分辨率的图案转移技术，具有在极细微结构和复杂图案制造中的显著优势。广泛应用 ...

国际电子商情5日讯 日本电子巨头松下公司正在考虑出售或缩减其陷入困境的电视业务，集中力量发展人工智能数据中心等高 ...

第五届中国国际国防电子展览会展品范围 经解放军总装备部批准，由中国国防科学技术工业委员会、信息产业部、解放军总装备部电子信息基础部与 ...