2025年，中国电科在半导体领域取得了重要进展，宣布其所属的48所成功实现第三代半导体SiC外延设备的首次大规模交付，共计30台套。这一里程碑式的成就不仅意味着中国在第三代半导体设备领域的技术突破，更为全球半导体产业注入了新的活力。

碳化硅 ...

每经AI快讯，2月9日，中国电科官方宣布，其所属的48所成功实现第三代半导体SiC外延设备的首次大规模批量发货，共计30台套。这一突破标志着中国在第三代半导体设备领域取得重要进展，也为全球半导体产业注入了新的活力。

日前，穆棱市北一半导体科技有限公司董事长金明星介绍道，“目前我们IGBT模块的销售，在新能源汽车领域的销售占比43%，在工业控制领域占20%，在白色家电领域占19%，在风电储能、轨道交通领域占18%。” ...

继在马来西亚居林开设全球最大、最具竞争力的 200 毫米 SiC 功率半导体晶圆厂后， 英飞凌科技股份公司 宣布开发全球首款 300 毫米功率氮化镓晶圆技术。英飞凌声称自己是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。

在工业设备市场，去年的库存调整持续了很长时间，看不到任何复苏的迹象，销售额受到该市场收入大幅下降的巨大影响。由于产量增长缓慢，汽车市场目前也正在经历调整期。该公司还看到其重点发展的汽车用碳化硅（SiC）功率器件的增长，但由于需求低迷，尤其是电动汽车（ ...

2023年，日本佐贺大学（Saga University）团队成功开发出全球首个采用金刚石半导体的电源电路。这一突破是与日本宇宙航空研究开发机构 (JAXA) 合作实现的，重点是用于太空通信的高频元件。JAXA ...

吉林大学物理学院高压与超硬材料全国重点实验室、综合极端条件高压科学中心刘冰冰教授、姚明光教授团队联合中山大学朱升财教授等取得了重大突破，在Nature Materials上发表题为“General Approach for Synthesizing ...

每经AI快讯，2月9日，据中国电科官微消息，SiC外延设备是第三代半导体SiC器件制造的核心关键设备之一。装载着30台套SiC外延设备从中国电科48所园区顺利发货，这也是48所实现首次大规模批量发货。目前，该设备已成功出货百余台套，并在客户现场稳定运 ...

新华社上海2月2日电（记者张建松、张泉）以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。

周二，在Rosenblatt Securities调整其对公司的展望后，安森美半导体股票成为市场焦点。该机构分析师将安森美半导体 (NASDAQ: ON ...

证券之星消息，根据天眼查APP于2月9日公布的信息整理，常州银芯微功率半导体有限公司天使轮融资，融资额未披露，参与投资的机构包括常高新集团。